电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
9期
61-65
,共5页
刘培新%朱孔军%胡秀兰%裘进浩%纪士东
劉培新%硃孔軍%鬍秀蘭%裘進浩%紀士東
류배신%주공군%호수란%구진호%기사동
铌酸钾钠%草酸铵%薄膜%聚合物前驱体法
鈮痠鉀鈉%草痠銨%薄膜%聚閤物前驅體法
니산갑납%초산안%박막%취합물전구체법
以加入和不加入草酸铵两种方法制备氢氧化铌.以碳酸钾、碳酸钠和制得的氢氧化铌为原料,柠檬酸为螯合剂,乙二醇为酯化剂,通过聚合物前驱体法在SiO2/Si基板上制备了铌酸钾钠(KNN)薄膜.研究了草酸铵的添加和不同退火温度对KNN薄膜性质的影响.结果显示:在pH = 7.5,金属阳离子与柠檬酸摩尔比为1∶3,柠檬酸与乙二醇的摩尔比为2∶1时,可以获得均匀稳定的KNN前驱体溶胶.草酸铵的加入优化了薄膜的性能;随着退火温度的增加,薄膜的致密度越来越高.退火温度在850 ℃时,薄膜结晶性相对较好;900 ℃退火处理后,薄膜晶粒有定向生长趋势.
以加入和不加入草痠銨兩種方法製備氫氧化鈮.以碳痠鉀、碳痠鈉和製得的氫氧化鈮為原料,檸檬痠為螯閤劑,乙二醇為酯化劑,通過聚閤物前驅體法在SiO2/Si基闆上製備瞭鈮痠鉀鈉(KNN)薄膜.研究瞭草痠銨的添加和不同退火溫度對KNN薄膜性質的影響.結果顯示:在pH = 7.5,金屬暘離子與檸檬痠摩爾比為1∶3,檸檬痠與乙二醇的摩爾比為2∶1時,可以穫得均勻穩定的KNN前驅體溶膠.草痠銨的加入優化瞭薄膜的性能;隨著退火溫度的增加,薄膜的緻密度越來越高.退火溫度在850 ℃時,薄膜結晶性相對較好;900 ℃退火處理後,薄膜晶粒有定嚮生長趨勢.
이가입화불가입초산안량충방법제비경양화니.이탄산갑、탄산납화제득적경양화니위원료,저몽산위오합제,을이순위지화제,통과취합물전구체법재SiO2/Si기판상제비료니산갑납(KNN)박막.연구료초산안적첨가화불동퇴화온도대KNN박막성질적영향.결과현시:재pH = 7.5,금속양리자여저몽산마이비위1∶3,저몽산여을이순적마이비위2∶1시,가이획득균균은정적KNN전구체용효.초산안적가입우화료박막적성능;수착퇴화온도적증가,박막적치밀도월래월고.퇴화온도재850 ℃시,박막결정성상대교호;900 ℃퇴화처리후,박막정립유정향생장추세.
