半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
4期
316-321
,共6页
密勒补偿%限流保护%省电模式%低功耗
密勒補償%限流保護%省電模式%低功耗
밀륵보상%한류보호%성전모식%저공모
提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路.该电路采用折叠型cascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护.此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8 V情况下节省大于70%的功耗.该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺,仿真结果显示:在2.5～5.5 V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3 mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23μA电流.
提齣瞭一種片上集成的低功耗無電容型LDO(low drop out)電路.該電路採用摺疊型cascode運放作為誤差放大器,通過消除零點的密勒補償技術提高瞭環路穩定性;併在電路中加入瞭一種新的限流保護結構以保證輸齣電流過大時對LDO的輸齣進行保護.此外,在電路中加入瞭省電模式,可在保持LDO輸齣1.8 V情況下節省大于70%的功耗.該設計採用HHNEC 0.13μm CMOS工藝,倣真結果顯示:在2.5～5.5 V電源供電、各箇工藝角及溫度變化條件下,LDO輸齣的線性調整率小于2.3 mV/V,負載調整率小于14μV/mA,溫度繫數小于27×10-6/℃;在正常工作模式下,整箇LDO消耗85μA電流;在省電模式下僅消耗23μA電流.
제출료일충편상집성적저공모무전용형LDO(low drop out)전로.해전로채용절첩형cascode운방작위오차방대기,통과소제영점적밀륵보상기술제고료배로은정성;병재전로중가입료일충신적한류보호결구이보증수출전류과대시대LDO적수출진행보호.차외,재전로중가입료성전모식,가재보지LDO수출1.8 V정황하절성대우70%적공모.해설계채용HHNEC 0.13μm CMOS공예,방진결과현시:재2.5～5.5 V전원공전、각개공예각급온도변화조건하,LDO수출적선성조정솔소우2.3 mV/V,부재조정솔소우14μV/mA,온도계수소우27×10-6/℃;재정상공작모식하,정개LDO소모85μA전류;재성전모식하부소모23μA전류.
