固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
6期
540-544
,共5页
王燕萍%罗尹虹%张科营%王园明
王燕萍%囉尹虹%張科營%王園明
왕연평%라윤홍%장과영%왕완명
氮化镓%高电子迁移率晶体管%中子辐照
氮化鎵%高電子遷移率晶體管%中子輻照
담화가%고전자천이솔정체관%중자복조
建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律.结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数,讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制.
建立瞭GaN HEMT器件(氮化鎵高電子遷移率晶體管)中子原位測試技術和輻照效應實驗方法,開展瞭GaN HEMT器件脈遲反應堆中子輻照效應實驗研究,重點研究瞭電離輻射和位移損傷對器件性能退化的影響,穫取瞭GaN HEMT中子位移損傷效應敏感參數和效應規律.結果錶明,閾值電壓、柵極洩漏電流以及漏極電流是中子輻照損傷的敏感參數,討論瞭器件性能退化的各種輻射損傷機製.
건립료GaN HEMT기건(담화가고전자천이솔정체관)중자원위측시기술화복조효응실험방법,개전료GaN HEMT기건맥충반응퇴중자복조효응실험연구,중점연구료전리복사화위이손상대기건성능퇴화적영향,획취료GaN HEMT중자위이손상효응민감삼수화효응규률.결과표명,역치전압、책겁설루전류이급루겁전류시중자복조손상적민감삼수,토론료기건성능퇴화적각충복사손상궤제.
