固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
2期
110-114
,共5页
袁愿林%姚昌胜%王果%陆敏
袁願林%姚昌勝%王果%陸敏
원원림%요창성%왕과%륙민
氮化镓%PIN%探测器%漏电流%钝化层
氮化鎵%PIN%探測器%漏電流%鈍化層
담화가%PIN%탐측기%루전류%둔화층
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试.实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40 V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低.实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显.建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响.
成功地製備瞭有SiO2鈍化層和無SiO2鈍化層的GaN基PIN結構覈輻射探測器,併對二者的I-V特性進行瞭測試.實驗結果錶明,SiO2鈍化層的存在顯著地降低瞭GaN基PIN結構覈輻射探測器的反嚮漏電流,在-40 V的反嚮偏壓情況下,漏電流約有2箇數量級的降低.實驗過程中觀測到隨著反嚮偏壓的增大,SiO2鈍化層對器件反嚮漏電流的抑製效應更明顯.建立瞭一種錶麵溝道模型解釋瞭SiO2鈍化層對漏電流的影響.
성공지제비료유SiO2둔화층화무SiO2둔화층적GaN기PIN결구핵복사탐측기,병대이자적I-V특성진행료측시.실험결과표명,SiO2둔화층적존재현저지강저료GaN기PIN결구핵복사탐측기적반향루전류,재-40 V적반향편압정황하,루전류약유2개수량급적강저.실험과정중관측도수착반향편압적증대,SiO2둔화층대기건반향루전류적억제효응경명현.건립료일충표면구도모형해석료SiO2둔화층대루전류적영향.
