科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2003年
8期
780-782
,共3页
柴春林%杨少延%刘志凯%廖梅勇%陈诺夫
柴春林%楊少延%劉誌凱%廖梅勇%陳諾伕
시춘림%양소연%류지개%료매용%진낙부
CeO2/Si薄膜%紫/蓝光%跃迁
CeO2/Si薄膜%紫/藍光%躍遷
CeO2/Si박막%자/람광%약천
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果, 并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
利用雙離子束外延技術製備瞭CeO2/Si薄膜, 觀察到瞭CeO2室溫藍光髮光以及低溫紫光緻髮光(PL)現象. 利用XRD和XPS對薄膜結構及價態進行分析後錶明, CeO2的髮光機製是由于電子的Ce4f→O2p躍遷和缺陷能級→O2p能級躍遷共同作用的結果, 併且這些缺陷能級位于Ce4f能級上下1 eV的範圍內.
이용쌍리자속외연기술제비료CeO2/Si박막, 관찰도료CeO2실온람광발광이급저온자광치발광(PL)현상. 이용XRD화XPS대박막결구급개태진행분석후표명, CeO2적발광궤제시유우전자적Ce4f→O2p약천화결함능급→O2p능급약천공동작용적결과, 병차저사결함능급위우Ce4f능급상하1 eV적범위내.
