微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2004年
4期
8-17
,共10页
雷文%陈涌海%程伟明%车晓玲%刘俊歧%黄秀颀%王占国
雷文%陳湧海%程偉明%車曉玲%劉俊歧%黃秀頎%王佔國
뢰문%진용해%정위명%차효령%류준기%황수기%왕점국
InP%应变自组装%光电子器件
InP%應變自組裝%光電子器件
InP%응변자조장%광전자기건
半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值.本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径.
半導體低維結構材料,如量子線(點)材料,由于其特殊的電子結構,在新一代光電子、微電子器件中有著重要的應用價值.本文對應變自組裝InP基量子線(點)材料的生長製備、光學和電學特性及其在半導體激光器、紅外探測器及其他光電子和微電子器件中的應用進行瞭綜述,指齣瞭目前需要改進的一些方麵,併提齣瞭一些相應的解決途徑.
반도체저유결구재료,여양자선(점)재료,유우기특수적전자결구,재신일대광전자、미전자기건중유착중요적응용개치.본문대응변자조장InP기양자선(점)재료적생장제비、광학화전학특성급기재반도체격광기、홍외탐측기급기타광전자화미전자기건중적응용진행료종술,지출료목전수요개진적일사방면,병제출료일사상응적해결도경.
