传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2005年
1期
53-54,57
,共3页
樊大伟%严利民%汪东旭%丛锋
樊大偉%嚴利民%汪東旭%叢鋒
번대위%엄이민%왕동욱%총봉
磁敏开关%三漏MOS晶体管%高灵敏度
磁敏開關%三漏MOS晶體管%高靈敏度
자민개관%삼루MOS정체관%고령민도
介绍了一种新型的磁敏开关.它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上.该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T.由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易.
介紹瞭一種新型的磁敏開關.它的磁敏感部分由2箇互補的三漏MOS晶體管組成,將恆流源、放大器、施密特觸髮器和輸齣驅動管等電路集成在同一塊芯片上.該磁敏開關具有穩定性能好、靈敏度高、功耗低、抗榦擾等優點,單耑輸齣靈敏度可達4V/T.由于採用瞭現有的硅柵CMOS工藝,實現起來更加容易.
개소료일충신형적자민개관.타적자민감부분유2개호보적삼루MOS정체관조성,장항류원、방대기、시밀특촉발기화수출구동관등전로집성재동일괴심편상.해자민개관구유은정성능호、령민도고、공모저、항간우등우점,단단수출령민도가체4V/T.유우채용료현유적규책CMOS공예,실현기래경가용역.
