半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
11期
2115-2119
,共5页
霍明学%刘晓为%张丹%王喜莲%宋明浩
霍明學%劉曉為%張丹%王喜蓮%宋明浩
곽명학%류효위%장단%왕희련%송명호
压阻效应%多晶硅%应变系数
壓阻效應%多晶硅%應變繫數
압조효응%다정규%응변계수
利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.
利用LPCVD製備重摻雜多晶硅薄膜,在0～560℃溫度範圍內對薄膜的壓阻效應進行研究,同時對多晶硅薄膜應變繫數隨溫度的變化,以及薄膜的澱積溫度與薄膜厚度對應變繫數的影響進行瞭相關的實驗研究.結果錶明,利用多晶硅材料製作的壓敏電阻,其最高工作溫度可以達到560℃以上.
이용LPCVD제비중참잡다정규박막,재0～560℃온도범위내대박막적압조효응진행연구,동시대다정규박막응변계수수온도적변화,이급박막적정적온도여박막후도대응변계수적영향진행료상관적실험연구.결과표명,이용다정규재료제작적압민전조,기최고공작온도가이체도560℃이상.
