不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应
불동결구CMOS운산방대기전로적전리복사효응
Total Dose Radiation Effects of CMOS Operational Amplifier with Different Structures
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 9期 898-903 ,共6页

    任迪远%陆妩%郭旗%余学锋%严荣良%胡浴红%王明刚%赵元富

    임적원%륙무%곽기%여학봉%엄영량%호욕홍%왕명강%조원부

    CMOS%运算放大器%电离辐射效应%氧化物电存%界面态 CMOS%運算放大器%電離輻射效應%氧化物電存%界麵態
    CMOS%운산방대기%전리복사효응%양화물전존%계면태
    介绍了在相同工艺条件下,N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况.结果表明:由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制;而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因.
    개소료재상동공예조건하,N구화P구수입량충불동결구CMOS운산방대기전로적전리복조향응규률급각자전로대전특성적영향정황.결과표명:유복조감생적양화물전하인기적N구경상부재적불대칭시도치P구수입운방전특성쇠강적주요궤제;이유양화물전하화계면태인기적N구차분대적루전증대칙시조성N구수입운방전로성능변차적주요원인.
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