半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
10期
993-998
,共6页
卢殿通%P.L.F.Hemment
盧殿通%P.L.F.Hemment
로전통%P.L.F.Hemment
SIMOX薄膜%红外光谱%非破坏性测量
SIMOX薄膜%紅外光譜%非破壞性測量
SIMOX박막%홍외광보%비파배성측량
报道了SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法，详细地研究了SIMOx材料的红外吸收光谱特性，求出了特征峰对应的吸收系数.提出利用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法，并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度.SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是SOI电路设计时最重要的两个参数，提供的非破坏性测量方法，测量误差小于5％.在SIMOX材料开发利用、批量生产中，用此方法可及时方便地检测SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度，随时调整注入能量和剂量.
報道瞭SOI材料薄膜厚度的非破壞性快速測量方法，詳細地研究瞭SIMOx材料的紅外吸收光譜特性，求齣瞭特徵峰對應的吸收繫數.提齣利用紅外吸收光譜測量SIMOX絕緣埋層厚度的非破壞性方法，併根據離子註入原理計算齣錶麵硅層的厚度.SIMOX薄膜的錶層硅和絕緣埋層的厚度是SOI電路設計時最重要的兩箇參數，提供的非破壞性測量方法，測量誤差小于5％.在SIMOX材料開髮利用、批量生產中，用此方法可及時方便地檢測SIMOX薄膜的錶層硅和絕緣埋層的厚度，隨時調整註入能量和劑量.
보도료SOI재료박막후도적비파배성쾌속측량방법，상세지연구료SIMOx재료적홍외흡수광보특성，구출료특정봉대응적흡수계수.제출이용홍외흡수광보측량SIMOX절연매층후도적비파배성방법，병근거리자주입원리계산출표면규층적후도.SIMOX박막적표층규화절연매층적후도시SOI전로설계시최중요적량개삼수，제공적비파배성측량방법，측량오차소우5％.재SIMOX재료개발이용、비량생산중，용차방법가급시방편지검측SIMOX박막적표층규화절연매층적후도，수시조정주입능량화제량.
