信息与电子工程
信息與電子工程
신식여전자공정
INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING
2011年
3期
358-360
,共3页
阎大伟%吴卫东%王雪敏%王瑜英%沈昌乐%彭丽萍
閻大偉%吳衛東%王雪敏%王瑜英%瀋昌樂%彭麗萍
염대위%오위동%왕설민%왕유영%침창악%팽려평
AlGaAs%高温扩散%扫描电子显微镜
AlGaAs%高溫擴散%掃描電子顯微鏡
AlGaAs%고온확산%소묘전자현미경
基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况.利用扫描电子显微镜(SEM)对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了表征.结果表明:当扩散温度较低时(650℃),Al在GaAs中扩散较快,可获得较佳的扩散结果.当温度升高后(800℃),GaAs中的As挥发增强,其在Al和GaAs界面处富集,阻碍了Al向GaAs中的扩散.最后根据实验结果,利用Fick定律计算了在650℃下AlGaAs靶的制备时间.
基于高溫擴散理論,研究瞭不同溫度下Al在GaAs中的擴散情況.利用掃描電子顯微鏡(SEM)對Al在GaAs中的濃度分佈和Al與GaAs的界麵進行瞭錶徵.結果錶明:噹擴散溫度較低時(650℃),Al在GaAs中擴散較快,可穫得較佳的擴散結果.噹溫度升高後(800℃),GaAs中的As揮髮增彊,其在Al和GaAs界麵處富集,阻礙瞭Al嚮GaAs中的擴散.最後根據實驗結果,利用Fick定律計算瞭在650℃下AlGaAs靶的製備時間.
기우고온확산이론,연구료불동온도하Al재GaAs중적확산정황.이용소묘전자현미경(SEM)대Al재GaAs중적농도분포화Al여GaAs적계면진행료표정.결과표명:당확산온도교저시(650℃),Al재GaAs중확산교쾌,가획득교가적확산결과.당온도승고후(800℃),GaAs중적As휘발증강,기재Al화GaAs계면처부집,조애료Al향GaAs중적확산.최후근거실험결과,이용Fick정률계산료재650℃하AlGaAs파적제비시간.
