电焊机
電銲機
전한궤
ELECTRIC WELDING MACHINE
2011年
8期
107-111
,共5页
籍成宗%李京龙%熊江涛%张赋升%孙兵兵
籍成宗%李京龍%熊江濤%張賦升%孫兵兵
적성종%리경룡%웅강도%장부승%손병병
单晶硅%扩散连接%Au-Si预共晶连接
單晶硅%擴散連接%Au-Si預共晶連接
단정규%확산련접%Au-Si예공정련접
通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au -Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接.分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用.由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接.分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀.
通過在單晶硅錶麵預製一層Au-Si鎔敷層,利用Au -Si低溫共晶原理實現預共晶條件下單晶硅的低溫擴散連接.分析錶明,在界麵的共晶組織中,Si的生長形態受晶體學取嚮和生長環境共同作用.由于Au-Si互不相溶,隨著溫度的升高,晶粒呈枝蔓狀生長,其中某些晶粒沿著基體生長併最終實現基體的橋狀連接.分析認為,隨著預共晶溫度的升高,接頭銲縫區域逐漸變窄,銲閤率上升,連接彊度提高,Si的生長形貌趨于規則,界麵中孔洞的數量減少和呎吋減小且趨于均勻.
통과재단정규표면예제일층Au-Si용부층,이용Au -Si저온공정원리실현예공정조건하단정규적저온확산련접.분석표명,재계면적공정조직중,Si적생장형태수정체학취향화생장배경공동작용.유우Au-Si호불상용,수착온도적승고,정립정지만상생장,기중모사정립연착기체생장병최종실현기체적교상련접.분석인위,수착예공정온도적승고,접두한봉구역축점변착,한합솔상승,련접강도제고,Si적생장형모추우규칙,계면중공동적수량감소화척촌감소차추우균균.
