人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
115-119,124
,共6页
雷哲锋%王发展%王欣%陈霞%王博
雷哲鋒%王髮展%王訢%陳霞%王博
뢰철봉%왕발전%왕흔%진하%왕박
ZnO纳米管%Cd掺杂%Mg掺杂%红移
ZnO納米管%Cd摻雜%Mg摻雜%紅移
ZnO납미관%Cd참잡%Mg참잡%홍이
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at％的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射( UV NBE)从纯ZnO的3.26eV红移到3.20 eV附近.应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构.分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移；而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性.
採用熱蒸髮法製備得到摻Cd量為3.3at％的ZnO納米管,室溫光緻髮光譜(PL)顯示,由于Cd的摻入,ZnCdO納米管的紫外近帶邊髮射( UV NBE)從純ZnO的3.26eV紅移到3.20 eV附近.應用基于密度汎函理論研究鋸齒型(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)單壁納米管的電子結構.分析髮現Cd摻雜納米管與薄膜相似,能隙隨摻雜量增加逐漸減小,齣現紅移；而Mg摻雜納米管則不同,能帶變化沒有規律性.
채용열증발법제비득도참Cd량위3.3at％적ZnO납미관,실온광치발광보(PL)현시,유우Cd적참입,ZnCdO납미관적자외근대변발사( UV NBE)종순ZnO적3.26eV홍이도3.20 eV부근.응용기우밀도범함이론연구거치형(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)단벽납미관적전자결구.분석발현Cd참잡납미관여박막상사,능극수참잡량증가축점감소,출현홍이；이Mg참잡납미관칙불동,능대변화몰유규률성.
