无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2012年
3期
437-444
,共8页
ZnSnO3%薄膜%溶胶-凝胶法%透明性%导电材料
ZnSnO3%薄膜%溶膠-凝膠法%透明性%導電材料
ZnSnO3%박막%용효-응효법%투명성%도전재료
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)过程和旋涂法制备了Zn-Sn-O系统薄膜.通过对干凝胶的热重-差示扫描同步热分析(TG-DSC),研究了干凝胶在烧结过程中的反应历程.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电镜(FE-SEM)以及紫外-可见透过率(UV-Vis)等表征了烧结后薄膜的晶相、晶格缺陷、微观形貌以及紫外-可见光透过率.本文还研究了烧结温度、N2气氛热处理以及组成变化对薄膜电阻率的影响,结果表明:偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜具有较低的电阻率;当nZn/(nZn+nSn)=50.3at%时,薄膜的电阻率达极小值,约为8.0× 102 Ω·cm.偏锡酸锌ZnSnO3晶体的导电机理研究表明:晶格中间隙阳离子含量的增加有利于薄膜电阻率的降低,而氧空位的形成则使其电阻率升高.薄膜的紫外-可见光透过率(UV-Vis)表明:偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜在400~900 nm的可见光波段透过率可达80%以上.
採用溶膠-凝膠(Sol-Gel)過程和鏇塗法製備瞭Zn-Sn-O繫統薄膜.通過對榦凝膠的熱重-差示掃描同步熱分析(TG-DSC),研究瞭榦凝膠在燒結過程中的反應歷程.採用X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、場髮射掃描電鏡(FE-SEM)以及紫外-可見透過率(UV-Vis)等錶徵瞭燒結後薄膜的晶相、晶格缺陷、微觀形貌以及紫外-可見光透過率.本文還研究瞭燒結溫度、N2氣氛熱處理以及組成變化對薄膜電阻率的影響,結果錶明:偏錫痠鋅ZnSnO3晶體薄膜具有較低的電阻率;噹nZn/(nZn+nSn)=50.3at%時,薄膜的電阻率達極小值,約為8.0× 102 Ω·cm.偏錫痠鋅ZnSnO3晶體的導電機理研究錶明:晶格中間隙暘離子含量的增加有利于薄膜電阻率的降低,而氧空位的形成則使其電阻率升高.薄膜的紫外-可見光透過率(UV-Vis)錶明:偏錫痠鋅ZnSnO3晶體薄膜在400~900 nm的可見光波段透過率可達80%以上.
채용용효-응효(Sol-Gel)과정화선도법제비료Zn-Sn-O계통박막.통과대간응효적열중-차시소묘동보열분석(TG-DSC),연구료간응효재소결과정중적반응역정.채용X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)、장발사소묘전경(FE-SEM)이급자외-가견투과솔(UV-Vis)등표정료소결후박막적정상、정격결함、미관형모이급자외-가견광투과솔.본문환연구료소결온도、N2기분열처리이급조성변화대박막전조솔적영향,결과표명:편석산자ZnSnO3정체박막구유교저적전조솔;당nZn/(nZn+nSn)=50.3at%시,박막적전조솔체겁소치,약위8.0× 102 Ω·cm.편석산자ZnSnO3정체적도전궤리연구표명:정격중간극양리자함량적증가유리우박막전조솔적강저,이양공위적형성칙사기전조솔승고.박막적자외-가견광투과솔(UV-Vis)표명:편석산자ZnSnO3정체박막재400~900 nm적가견광파단투과솔가체80%이상.