无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2003年
6期
1385-1388
,共4页
邱东江%吴惠桢%陈奶波%田维坚
邱東江%吳惠楨%陳奶波%田維堅
구동강%오혜정%진내파%전유견
电子束反应蒸镀%立方MgxZn1-xO薄膜
電子束反應蒸鍍%立方MgxZn1-xO薄膜
전자속반응증도%립방MgxZn1-xO박막
在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了MgxZn1-xO晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200C温度下生长得到高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方MgxZn1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16%.这使得高质量立方MgxZn1-xO/MgO多量子阱材料的制备成为可能.
在國際上第一次採用電子束反應蒸髮法在Si(111)襯底上生長瞭MgxZn1-xO晶體薄膜.能量色散X射線(EDX)特徵能譜及X射線衍射(XRD)分析錶明薄膜呈立方結構,薄膜的晶麵取嚮依賴于生長溫度,在200C溫度下生長得到高度(200)取嚮的立方MgxZn1-xO薄膜,溫度過高時得到多晶薄膜.對高度(200)取嚮的立方MgxZn1-xO薄膜的光熒光激髮譜(PLE)分析錶明其光學帶隙為4.20eV,相對于MgO的帶隙紅移量為3.50eV.XRD分析還錶明立方MgxZn1-xO薄膜與MgO襯底之間的晶格失配僅為0.16%.這使得高質量立方MgxZn1-xO/MgO多量子阱材料的製備成為可能.
재국제상제일차채용전자속반응증발법재Si(111)츤저상생장료MgxZn1-xO정체박막.능량색산X사선(EDX)특정능보급X사선연사(XRD)분석표명박막정립방결구,박막적정면취향의뢰우생장온도,재200C온도하생장득도고도(200)취향적립방MgxZn1-xO박막,온도과고시득도다정박막.대고도(200)취향적립방MgxZn1-xO박막적광형광격발보(PLE)분석표명기광학대극위4.20eV,상대우MgO적대극홍이량위3.50eV.XRD분석환표명립방MgxZn1-xO박막여MgO츤저지간적정격실배부위0.16%.저사득고질량립방MgxZn1-xO/MgO다양자정재료적제비성위가능.
