核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2005年
11期
841-844
,共4页
彭成晓%翁惠民%杨晓杰%叶邦角%周先意%韩荣典
彭成曉%翁惠民%楊曉傑%葉邦角%週先意%韓榮典
팽성효%옹혜민%양효걸%협방각%주선의%한영전
ZnO%缺陷%慢正电子%氧含量
ZnO%缺陷%慢正電子%氧含量
ZnO%결함%만정전자%양함량
利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(Vo,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(Vo)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷.PO2＞70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位(VZn)为主.随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位(VZn)浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,和存在同种缺陷的其它样品相比,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目要减少很多.随着O2含量增加,VZn浓度逐渐变大,Vo和Zni浓度相应减小,这些变化与光致发光谱(Photoluminescence,PL)反映的实验结果相吻合.
利用慢正電子研究瞭不同氧含量時射頻磁控反應濺射製備的ZnO樣品,觀察到ZnO中本徵缺陷(Vo,VZn)隨混閤氣體中O2比例(PO2)的變化關繫.結果錶明:PO2≤70%時,這些ZnO樣品中存在同一種缺陷類型,O空位(Vo)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷.PO2＞70%時,這些ZnO樣品中缺陷以Zn空位(VZn)為主.隨著反應室中O2含量的增加,樣品的Zn空位(VZn)濃度逐漸增加;噹PO2為85%時,與正電子湮沒的VZn數目減少,可能是雜質原子對VZn屏蔽引起的結果;PO2低于50%,材料中H原子數目相對較多,H原子會與晶格中的懸掛鍵結閤,和存在同種缺陷的其它樣品相比,這時能與晶格原子懸掛鍵湮沒的正電子數目要減少很多.隨著O2含量增加,VZn濃度逐漸變大,Vo和Zni濃度相應減小,這些變化與光緻髮光譜(Photoluminescence,PL)反映的實驗結果相吻閤.
이용만정전자연구료불동양함량시사빈자공반응천사제비적ZnO양품,관찰도ZnO중본정결함(Vo,VZn)수혼합기체중O2비례(PO2)적변화관계.결과표명:PO2≤70%시,저사ZnO양품중존재동일충결함류형,O공위(Vo)화Zn전극(Zni)가능시재료중주요결함.PO2＞70%시,저사ZnO양품중결함이Zn공위(VZn)위주.수착반응실중O2함량적증가,양품적Zn공위(VZn)농도축점증가;당PO2위85%시,여정전자인몰적VZn수목감소,가능시잡질원자대VZn병폐인기적결과;PO2저우50%,재료중H원자수목상대교다,H원자회여정격중적현괘건결합,화존재동충결함적기타양품상비,저시능여정격원자현괘건인몰적정전자수목요감소흔다.수착O2함량증가,VZn농도축점변대,Vo화Zni농도상응감소,저사변화여광치발광보(Photoluminescence,PL)반영적실험결과상문합.
