光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
1期
11-13
,共3页
姜文海%陈辰%周建军%李忠辉%郑惟彬%董逊
薑文海%陳辰%週建軍%李忠輝%鄭惟彬%董遜
강문해%진신%주건군%리충휘%정유빈%동손
紫外探测器%可见盲%宽带隙
紫外探測器%可見盲%寬帶隙
자외탐측기%가견맹%관대극
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属一半导体一金属型的紫外光电探测器.材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料.器件在362 nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析.
以寬禁帶半導體氮化鎵材料製備瞭金屬一半導體一金屬型的紫外光電探測器.材料生長是以MOCVD設備完成的,為非故意摻雜的n型材料.器件在362 nm處具有陡峭的截止邊,錶現齣可見盲特性,在1.5 V偏壓下響應度為0.71 A/W,紫外/可見抑製比接近103.通過擊穿單側肖特基結對另一側的肖特基結進行測試,結果錶明肖特基結具有較理想的特性,併以此對器件的工作方式和設計優化進行瞭討論分析.
이관금대반도체담화가재료제비료금속일반도체일금속형적자외광전탐측기.재료생장시이MOCVD설비완성적,위비고의참잡적n형재료.기건재362 nm처구유두초적절지변,표현출가견맹특성,재1.5 V편압하향응도위0.71 A/W,자외/가견억제비접근103.통과격천단측초특기결대령일측적초특기결진행측시,결과표명초특기결구유교이상적특성,병이차대기건적공작방식화설계우화진행료토론분석.
