山西电子技术
山西電子技術
산서전자기술
SHANXI ELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
34-36
,共3页
韦杰文%段吉海%秦志杰%古鸽
韋傑文%段吉海%秦誌傑%古鴿
위걸문%단길해%진지걸%고합
压控振荡器%相位噪声%CMOS工艺
壓控振盪器%相位譟聲%CMOS工藝
압공진탕기%상위조성%CMOS공예
介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计.该振荡器的中心频率为5.25 GHz,电源电压为1.8 V,工作在802.11a标准下,采用0.18 μm CMOS工艺实现.仿真结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1 MHz时达到-121 dBc/Hz,调谐范围达到31%,输出电压峰峰值为830 mV,有良好的线性纯度.
介紹瞭一種全集成的LC壓控振盪器(VCO)的設計.該振盪器的中心頻率為5.25 GHz,電源電壓為1.8 V,工作在802.11a標準下,採用0.18 μm CMOS工藝實現.倣真結果錶明,VCO的相位譟聲在偏離中心頻率1 MHz時達到-121 dBc/Hz,調諧範圍達到31%,輸齣電壓峰峰值為830 mV,有良好的線性純度.
개소료일충전집성적LC압공진탕기(VCO)적설계.해진탕기적중심빈솔위5.25 GHz,전원전압위1.8 V,공작재802.11a표준하,채용0.18 μm CMOS공예실현.방진결과표명,VCO적상위조성재편리중심빈솔1 MHz시체도-121 dBc/Hz,조해범위체도31%,수출전압봉봉치위830 mV,유량호적선성순도.
