固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
169-173
,共5页
互补型金属氧化物半导体射频集成电路%恒定跨导偏置%接收信号强度指示%仪表放大器
互補型金屬氧化物半導體射頻集成電路%恆定跨導偏置%接收信號彊度指示%儀錶放大器
호보형금속양화물반도체사빈집성전로%항정과도편치%접수신호강도지시%의표방대기
基于UMC 0.18 μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI).提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(G<,m>)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小.芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为一25～-15 dBm,非线性误差小于士1.5 dB,同时功耗仅为7 mW.满足接收机系统要求.
基于UMC 0.18 μm RF CMOS工藝,設計併實現瞭一箇應用于移動數字電視接收機射頻前耑的接收信號彊度指示儀(RF RSSI).提齣瞭一種全新的功率檢測電路,相對于傳統的非平衡源級耦閤對整流器,具有設計簡單、功耗低以及良好的寬帶功率指示功能;電路中前置放大器採用恆定跨導(G<,m>)偏置技術,輸齣放大器為三運放儀錶放大器(IA),其增益均為片上電阻的比值,因此受工藝、溫度、電源電壓影響較小.芯片測試結果錶明,在1.8 V電源電壓下,工作頻率470～860 MHz範圍內,該RF RSSI的動態功率檢測範圍為一25～-15 dBm,非線性誤差小于士1.5 dB,同時功耗僅為7 mW.滿足接收機繫統要求.
기우UMC 0.18 μm RF CMOS공예,설계병실현료일개응용우이동수자전시접수궤사빈전단적접수신호강도지시의(RF RSSI).제출료일충전신적공솔검측전로,상대우전통적비평형원급우합대정류기,구유설계간단、공모저이급량호적관대공솔지시공능;전로중전치방대기채용항정과도(G<,m>)편치기술,수출방대기위삼운방의표방대기(IA),기증익균위편상전조적비치,인차수공예、온도、전원전압영향교소.심편측시결과표명,재1.8 V전원전압하,공작빈솔470～860 MHz범위내,해RF RSSI적동태공솔검측범위위일25～-15 dBm,비선성오차소우사1.5 dB,동시공모부위7 mW.만족접수궤계통요구.
