中国表面工程
中國錶麵工程
중국표면공정
CHINA SURFACE ENGINEERING
2011年
6期
62-67
,共6页
蔡建%杨巍%代伟%柯培玲%汪爱英
蔡建%楊巍%代偉%柯培玲%汪愛英
채건%양외%대위%가배령%왕애영
单弯曲阴极真空电弧%偏压%四面体非晶碳膜%sp3
單彎麯陰極真空電弧%偏壓%四麵體非晶碳膜%sp3
단만곡음겁진공전호%편압%사면체비정탄막%sp3
采用自主研制的45°单弯曲磁过滤阴极电弧沉积系统于Si基体表面制备了四面体非晶碳(ta-C)膜,研究了基体负偏压对薄膜沉积速率、成分、力学性能及摩擦学性能的影响规律.结果表明,随基体负偏压升高,ta-C膜sp3键含量呈先增后减的变化趋势,在-50 V时达到最大值(约64％)；其硬度和弹性模量呈相似的变化规律,在-50 V偏压下获得最大值(48.22 GPa和388.52 GPa).ta-C薄膜的摩擦学性能与其sp3碳杂化键的含量密切相关,在-50 V偏压下制备的薄膜具有最小平均摩擦因数值(0.10).可见,采用单弯曲磁过滤阴极弧电弧制备ta-C薄膜的力学和摩擦学特性主要受薄膜中sp3键含量的制约.
採用自主研製的45°單彎麯磁過濾陰極電弧沉積繫統于Si基體錶麵製備瞭四麵體非晶碳(ta-C)膜,研究瞭基體負偏壓對薄膜沉積速率、成分、力學性能及摩抆學性能的影響規律.結果錶明,隨基體負偏壓升高,ta-C膜sp3鍵含量呈先增後減的變化趨勢,在-50 V時達到最大值(約64％)；其硬度和彈性模量呈相似的變化規律,在-50 V偏壓下穫得最大值(48.22 GPa和388.52 GPa).ta-C薄膜的摩抆學性能與其sp3碳雜化鍵的含量密切相關,在-50 V偏壓下製備的薄膜具有最小平均摩抆因數值(0.10).可見,採用單彎麯磁過濾陰極弧電弧製備ta-C薄膜的力學和摩抆學特性主要受薄膜中sp3鍵含量的製約.
채용자주연제적45°단만곡자과려음겁전호침적계통우Si기체표면제비료사면체비정탄(ta-C)막,연구료기체부편압대박막침적속솔、성분、역학성능급마찰학성능적영향규률.결과표명,수기체부편압승고,ta-C막sp3건함량정선증후감적변화추세,재-50 V시체도최대치(약64％)；기경도화탄성모량정상사적변화규률,재-50 V편압하획득최대치(48.22 GPa화388.52 GPa).ta-C박막적마찰학성능여기sp3탄잡화건적함량밀절상관,재-50 V편압하제비적박막구유최소평균마찰인수치(0.10).가견,채용단만곡자과려음겁호전호제비ta-C박막적역학화마찰학특성주요수박막중sp3건함량적제약.
