电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
8期
30-32
,共3页
陈建利%邓昭平%杨敬义%刘青%张斌
陳建利%鄧昭平%楊敬義%劉青%張斌
진건리%산소평%양경의%류청%장빈
电子技术%(Ba,Sr)TiO3%低温烧结%添加PbO和BN%PTC材料
電子技術%(Ba,Sr)TiO3%低溫燒結%添加PbO和BN%PTC材料
전자기술%(Ba,Sr)TiO3%저온소결%첨가PbO화BN%PTC재료
为了降低(Ba, Sr)TiO3的烧结温度,以PbO、BN为矿化剂,采用固相反应法制备了样品.研究了ζ(PbO:BN)在低温烧结状态下对锶系PTC材料性能的影响.结果表明:当ζ(PbO:BN)为4:3时,样品在1 182 ℃能半导化,且获得了特性较好的PTC材料:tC为64.9 ℃,R25为125 ?,ρmax / ρmin为2.553×105,温度系数α10/25为12.54% ℃-1,耐电压Vb为696.7 V.
為瞭降低(Ba, Sr)TiO3的燒結溫度,以PbO、BN為礦化劑,採用固相反應法製備瞭樣品.研究瞭ζ(PbO:BN)在低溫燒結狀態下對鍶繫PTC材料性能的影響.結果錶明:噹ζ(PbO:BN)為4:3時,樣品在1 182 ℃能半導化,且穫得瞭特性較好的PTC材料:tC為64.9 ℃,R25為125 ?,ρmax / ρmin為2.553×105,溫度繫數α10/25為12.54% ℃-1,耐電壓Vb為696.7 V.
위료강저(Ba, Sr)TiO3적소결온도,이PbO、BN위광화제,채용고상반응법제비료양품.연구료ζ(PbO:BN)재저온소결상태하대송계PTC재료성능적영향.결과표명:당ζ(PbO:BN)위4:3시,양품재1 182 ℃능반도화,차획득료특성교호적PTC재료:tC위64.9 ℃,R25위125 ?,ρmax / ρmin위2.553×105,온도계수α10/25위12.54% ℃-1,내전압Vb위696.7 V.
