半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
546-548
,共3页
岳红菊%刘肃%王永顺%李海蓉
嶽紅菊%劉肅%王永順%李海蓉
악홍국%류숙%왕영순%리해용
静电感应晶闸管%埋栅结构%台面刻蚀%栅阴击穿%表面缺陷
靜電感應晶閘管%埋柵結構%檯麵刻蝕%柵陰擊穿%錶麵缺陷
정전감응정갑관%매책결구%태면각식%책음격천%표면결함
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究.实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压.同时,还简要描述了这种器件的制造工艺.
針對檯麵刻蝕深度對埋柵型靜電感應晶閘管(SITH)柵陰擊穿特性的影響做瞭實驗研究.實驗結果錶明,隨著檯麵刻蝕深度的增大,器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變為硬擊穿,同時擊穿電壓升高,SITH設計瞭獨立的檯麵槽,併研究瞭檯麵刻蝕深度與柵陰擊穿電壓和柵陰擊穿特性間的關繫,指齣檯麵刻蝕深度的增加可以有效減弱錶麵電荷和錶麵缺陷對器件的影響,改善柵陰擊穿麯線,提高柵陰擊穿電壓.同時,還簡要描述瞭這種器件的製造工藝.
침대태면각식심도대매책형정전감응정갑관(SITH)책음격천특성적영향주료실험연구.실험결과표명,수착태면각식심도적증대,기건책음격천유원래적연격천변위경격천,동시격천전압승고,SITH설계료독립적태면조,병연구료태면각식심도여책음격천전압화책음격천특성간적관계,지출태면각식심도적증가가이유효감약표면전하화표면결함대기건적영향,개선책음격천곡선,제고책음격천전압.동시,환간요묘술료저충기건적제조공예.
