固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
298-304,314
,共8页
黄伟%孙华%张利春%张树丹%许居衍
黃偉%孫華%張利春%張樹丹%許居衍
황위%손화%장리춘%장수단%허거연
镍硅化物%快速热退火%X射线衍射分析%拉曼光谱分析%卢瑟福背散射%原子力显微镜
鎳硅化物%快速熱退火%X射線衍射分析%拉曼光譜分析%盧瑟福揹散射%原子力顯微鏡
얼규화물%쾌속열퇴화%X사선연사분석%랍만광보분석%로슬복배산사%원자력현미경
首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性.概括总结了掺人难熔金属M后形成的三元镍硅化物Ni(M)Si热稳定性能.实验结果表明,Ni(M)Si硅化物薄膜四种镍硅化物薄膜有相同的热稳定性.以Ni/W/Ni/Si样品为例,经650～800°C快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,小于3 Ω/□.XRD衍射、Raman光谱和AFM分析表明,Ni(M)Si薄膜界面平整,该薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800°C,使形成高阻NiSi2相的最低温度提高到850℃.研制的高压Ni(M)Si/Si肖特基硅器件在650～800°C温度跨度范围内保留了NiSi/Si肖特基相近的整流特性,肖特基势垒高度分布在0.61～0.71 eV区间内,由此表明Ni(M)Si硅化物是令人满意的互连和接触材料.
首次給齣瞭一種具有規律性的能用來提高鎳硅化物熱穩定性的方法.依據此方法,摸索齣在Ni中分彆以夾層金屬摻入Pt、Mo、Zr、W金屬來提高NiSi硅化物的熱穩定性.概括總結瞭摻人難鎔金屬M後形成的三元鎳硅化物Ni(M)Si熱穩定性能.實驗結果錶明,Ni(M)Si硅化物薄膜四種鎳硅化物薄膜有相同的熱穩定性.以Ni/W/Ni/Si樣品為例,經650～800°C快速熱退火後,薄層電阻率保持較小值,小于3 Ω/□.XRD衍射、Raman光譜和AFM分析錶明,Ni(M)Si薄膜界麵平整,該薄膜中隻存在低阻NiSi相,而沒有高阻NiSi2相生成,從而將NiSi薄膜的低阻溫度窗口的上限從700℃提高到800°C,使形成高阻NiSi2相的最低溫度提高到850℃.研製的高壓Ni(M)Si/Si肖特基硅器件在650～800°C溫度跨度範圍內保留瞭NiSi/Si肖特基相近的整流特性,肖特基勢壘高度分佈在0.61～0.71 eV區間內,由此錶明Ni(M)Si硅化物是令人滿意的互連和接觸材料.
수차급출료일충구유규률성적능용래제고얼규화물열은정성적방법.의거차방법,모색출재Ni중분별이협층금속참입Pt、Mo、Zr、W금속래제고NiSi규화물적열은정성.개괄총결료참인난용금속M후형성적삼원얼규화물Ni(M)Si열은정성능.실험결과표명,Ni(M)Si규화물박막사충얼규화물박막유상동적열은정성.이Ni/W/Ni/Si양품위례,경650～800°C쾌속열퇴화후,박층전조솔보지교소치,소우3 Ω/□.XRD연사、Raman광보화AFM분석표명,Ni(M)Si박막계면평정,해박막중지존재저조NiSi상,이몰유고조NiSi2상생성,종이장NiSi박막적저조온도창구적상한종700℃제고도800°C,사형성고조NiSi2상적최저온도제고도850℃.연제적고압Ni(M)Si/Si초특기규기건재650～800°C온도과도범위내보류료NiSi/Si초특기상근적정류특성,초특기세루고도분포재0.61～0.71 eV구간내,유차표명Ni(M)Si규화물시령인만의적호련화접촉재료.
