南京邮电大学学报（自然科学版）
南京郵電大學學報（自然科學版）
남경유전대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS(NATURAL SCIENCE)
2011年
5期
97-100
,共4页
陈德媛%冒昌银%刘宇%孙红程
陳德媛%冒昌銀%劉宇%孫紅程
진덕원%모창은%류우%손홍정
电致发光%开启电压%注入势垒%串联电阻
電緻髮光%開啟電壓%註入勢壘%串聯電阻
전치발광%개계전압%주입세루%천련전조
采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构.经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和硼掺杂的非晶硅结晶形成多晶硅结构.衬底采用轻和重掺杂两种不同浓度的p型单晶硅.重掺杂衬底上的p-i-n结构的电致发光特性比轻掺杂的具有更低的开启电压和更高的发光强度和效率.根据载流子的输运机制分析,重掺杂的p+硅衬底一方面有效的降低了载流子的隧穿势垒,提高了载流子的有效注入效率,进而提高了电致发光强度和效率；另一方面,重掺杂衬底也降低了器件的总串联电阻,是器件开启电压降低的主要原因.
採用等離子體增彊化學氣相澱積繫統,應用原位氧化和原位摻雜技術製備齣瞭以非晶硅/二氧化硅多層膜結構為本徵i層、分彆以燐和硼摻雜的非晶硅作為n型和p型區的p-i-n結構.經過三步後退火處理,i層晶化得到納米硅/二氧化硅多層膜結構,燐和硼摻雜的非晶硅結晶形成多晶硅結構.襯底採用輕和重摻雜兩種不同濃度的p型單晶硅.重摻雜襯底上的p-i-n結構的電緻髮光特性比輕摻雜的具有更低的開啟電壓和更高的髮光彊度和效率.根據載流子的輸運機製分析,重摻雜的p+硅襯底一方麵有效的降低瞭載流子的隧穿勢壘,提高瞭載流子的有效註入效率,進而提高瞭電緻髮光彊度和效率；另一方麵,重摻雜襯底也降低瞭器件的總串聯電阻,是器件開啟電壓降低的主要原因.
채용등리자체증강화학기상정적계통,응용원위양화화원위참잡기술제비출료이비정규/이양화규다층막결구위본정i층、분별이린화붕참잡적비정규작위n형화p형구적p-i-n결구.경과삼보후퇴화처리,i층정화득도납미규/이양화규다층막결구,린화붕참잡적비정규결정형성다정규결구.츤저채용경화중참잡량충불동농도적p형단정규.중참잡츤저상적p-i-n결구적전치발광특성비경참잡적구유경저적개계전압화경고적발광강도화효솔.근거재류자적수운궤제분석,중참잡적p+규츤저일방면유효적강저료재류자적수천세루,제고료재류자적유효주입효솔,진이제고료전치발광강도화효솔；령일방면,중참잡츤저야강저료기건적총천련전조,시기건개계전압강저적주요원인.
