微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2005年
4期
63-66
,共4页
绝热电路%低功耗%SRAM%VLSI设计
絕熱電路%低功耗%SRAM%VLSI設計
절열전로%저공모%SRAM%VLSI설계
文章提出了一种新的绝热电路,并以该绝热电路为驱动,设计了一种低功耗绝热SRAM.由于所提出的绝热电路能以完全绝热的方式回收位线和字线上大开关电容的电荷,因此使该SRAM的功耗大大减小.我们采用0.25μm TSMC工艺,在时钟频率25～200MHz范围内对绝热SRAM进行了能耗和功能的HSPICE仿真,结果显示,与用传统的CMOS电路设计的SRAM相比,可节能80%左右.
文章提齣瞭一種新的絕熱電路,併以該絕熱電路為驅動,設計瞭一種低功耗絕熱SRAM.由于所提齣的絕熱電路能以完全絕熱的方式迴收位線和字線上大開關電容的電荷,因此使該SRAM的功耗大大減小.我們採用0.25μm TSMC工藝,在時鐘頻率25～200MHz範圍內對絕熱SRAM進行瞭能耗和功能的HSPICE倣真,結果顯示,與用傳統的CMOS電路設計的SRAM相比,可節能80%左右.
문장제출료일충신적절열전로,병이해절열전로위구동,설계료일충저공모절열SRAM.유우소제출적절열전로능이완전절열적방식회수위선화자선상대개관전용적전하,인차사해SRAM적공모대대감소.아문채용0.25μm TSMC공예,재시종빈솔25～200MHz범위내대절열SRAM진행료능모화공능적HSPICE방진,결과현시,여용전통적CMOS전로설계적SRAM상비,가절능80%좌우.
