电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
2期
38-40
,共3页
偏置栅高压MOS%温度效应%温度系数%ZTC(零温度系数)点
偏置柵高壓MOS%溫度效應%溫度繫數%ZTC(零溫度繫數)點
편치책고압MOS%온도효응%온도계수%ZTC(령온도계수)점
采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用15 μm P阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27℃～200℃)的器件特性,包括漏电流IDS阈值电压VT、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系.
採用Cascade探針檯與Agilent 4155B參數測試儀測試採用15 μm P阱單層多晶單層金屬CMOS工藝製作的寬長比為50∶4的高壓PMOSFET在不同溫度下(27℃～200℃)的器件特性,包括漏電流IDS閾值電壓VT、柵跨導gm的溫度特性,併與常壓PMOSFET溫度特性比較,推導閾值電壓值與溫度的簡單關繫.
채용Cascade탐침태여Agilent 4155B삼수측시의측시채용15 μm P정단층다정단층금속CMOS공예제작적관장비위50∶4적고압PMOSFET재불동온도하(27℃～200℃)적기건특성,포괄루전류IDS역치전압VT、책과도gm적온도특성,병여상압PMOSFET온도특성비교,추도역치전압치여온도적간단관계.
