材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2007年
3期
3-6
,共4页
徐化明%王锐%国力秋%梁吉
徐化明%王銳%國力鞦%樑吉
서화명%왕예%국력추%량길
单壁碳纳米管%催化剂浓度%反应温度%生长基底%碳纳米管针尖
單壁碳納米管%催化劑濃度%反應溫度%生長基底%碳納米管針尖
단벽탄납미관%최화제농도%반응온도%생장기저%탄납미관침첨
通过旋涂硝酸铁异丙醇溶液于P型硅表面以获得均匀分布的催化剂颗粒,以CH4为反应气体采用CVD方法即可在P型硅表面均匀生长单壁碳纳米管,并且部分碳纳米管呈直立状.研究了催化剂浓度、生长基底、反应温度对单壁碳纳米管表面生长情况的影响.研究表明,催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时,都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大,而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长;随反应温度的提高碳纳米管的生长效率降低,并使得碳纳米管更易贴附基底表面生长.采用此方法制备的生长有直立碳纳米管的硅片作为扫描基底,在原子力显微镜敲击模式下利用拾取法成功制备了碳纳米管原子力显微镜针尖.
通過鏇塗硝痠鐵異丙醇溶液于P型硅錶麵以穫得均勻分佈的催化劑顆粒,以CH4為反應氣體採用CVD方法即可在P型硅錶麵均勻生長單壁碳納米管,併且部分碳納米管呈直立狀.研究瞭催化劑濃度、生長基底、反應溫度對單壁碳納米管錶麵生長情況的影響.研究錶明,催化劑濃度升高或採用二氧化硅替代P型硅為生長基底時,都會導緻單壁碳納米管生長的密度加大,而碳納米管長度變短且更易貼附基底錶麵生長;隨反應溫度的提高碳納米管的生長效率降低,併使得碳納米管更易貼附基底錶麵生長.採用此方法製備的生長有直立碳納米管的硅片作為掃描基底,在原子力顯微鏡敲擊模式下利用拾取法成功製備瞭碳納米管原子力顯微鏡針尖.
통과선도초산철이병순용액우P형규표면이획득균균분포적최화제과립,이CH4위반응기체채용CVD방법즉가재P형규표면균균생장단벽탄납미관,병차부분탄납미관정직립상.연구료최화제농도、생장기저、반응온도대단벽탄납미관표면생장정황적영향.연구표명,최화제농도승고혹채용이양화규체대P형규위생장기저시,도회도치단벽탄납미관생장적밀도가대,이탄납미관장도변단차경역첩부기저표면생장;수반응온도적제고탄납미관적생장효솔강저,병사득탄납미관경역첩부기저표면생장.채용차방법제비적생장유직립탄납미관적규편작위소묘기저,재원자력현미경고격모식하이용습취법성공제비료탄납미관원자력현미경침첨.
