人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
2期
285-288
,共4页
张松青%张丽伟%赵新蕖%卢景霄
張鬆青%張麗偉%趙新蕖%盧景霄
장송청%장려위%조신거%로경소
Si薄膜%脉冲快速光热退火%拉曼光谱%扫描电子显微镜
Si薄膜%脈遲快速光熱退火%拉曼光譜%掃描電子顯微鏡
Si박막%맥충쾌속광열퇴화%랍만광보%소묘전자현미경
用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜.采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(＜650℃)和中温(＜750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理.用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌.结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右.用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析.
用射頻等離子體化學氣相沉積(RF-PECVD)法在普通玻璃襯底上低溫製備瞭μc-Si:H薄膜.採用快速光熱退火爐(RTP),分彆用低溫(＜650℃)和中溫(＜750℃)脈遲法(PRTP)對薄膜進行瞭退火處理.用拉曼光譜和掃描電子顯微鏡(SEM)研究瞭不同條件下退火薄膜散射譜的特徵和錶麵形貌.結果顯示,脈遲退火法晶化的薄膜,晶化率達到瞭53%,部分顆粒糰簇的呎吋已達到200nm左右.用聲子限域理論和錶麵呎吋效應對薄膜頻譜的"紅移"和"藍移"現象進行瞭分析.
용사빈등리자체화학기상침적(RF-PECVD)법재보통파리츤저상저온제비료μc-Si:H박막.채용쾌속광열퇴화로(RTP),분별용저온(＜650℃)화중온(＜750℃)맥충법(PRTP)대박막진행료퇴화처리.용랍만광보화소묘전자현미경(SEM)연구료불동조건하퇴화박막산사보적특정화표면형모.결과현시,맥충퇴화법정화적박막,정화솔체도료53%,부분과립단족적척촌이체도200nm좌우.용성자한역이론화표면척촌효응대박막빈보적"홍이"화"람이"현상진행료분석.
