光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2009年
4期
1066-1069
,共4页
苏丽伟%游达%程海英%江风益
囌麗偉%遊達%程海英%江風益
소려위%유체%정해영%강풍익
光学材料%Ag反射镜%加速老化%Si衬底%绿光LED
光學材料%Ag反射鏡%加速老化%Si襯底%綠光LED
광학재료%Ag반사경%가속노화%Si츤저%록광LED
对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400 μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究.带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA.在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于尤银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片奉身的温度.本器件有良好的发光效率,光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景.
對本實驗室在Si(111)襯底上MOCVD法生長的芯片呎吋為400 μm×600μm功率型綠光LED的光電性能進行研究.帶有銀反射鏡的LED在20 mA的電流下正嚮工作電壓為3.59 V,主波長518 nm,輸齣光功率為7.3 mW,90 mA下達到28.2 mW,髮光功率效率為7.5%,光輸齣飽和電流高達600 mA.在200 mA電流下加速老化216 h,有銀反射鏡的LED光衰小于尤銀反射鏡的LED,把這一現象歸結于Ag反射鏡在提高齣光效率的同時,降低瞭芯片奉身的溫度.本器件有良好的髮光效率,光衰和光輸齣飽和電流等綜閤特性錶明,Si襯底GaN基綠光LED具有誘人的髮展前景.
대본실험실재Si(111)츤저상MOCVD법생장적심편척촌위400 μm×600μm공솔형록광LED적광전성능진행연구.대유은반사경적LED재20 mA적전류하정향공작전압위3.59 V,주파장518 nm,수출광공솔위7.3 mW,90 mA하체도28.2 mW,발광공솔효솔위7.5%,광수출포화전류고체600 mA.재200 mA전류하가속노화216 h,유은반사경적LED광쇠소우우은반사경적LED,파저일현상귀결우Ag반사경재제고출광효솔적동시,강저료심편봉신적온도.본기건유량호적발광효솔,광쇠화광수출포화전류등종합특성표명,Si츤저GaN기록광LED구유유인적발전전경.
