电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
7期
33-35
,共3页
ZnO薄膜%表面形貌%高度-高度相关函数%分形
ZnO薄膜%錶麵形貌%高度-高度相關函數%分形
ZnO박막%표면형모%고도-고도상관함수%분형
用原子力显微镜,观察了sol-gel法制备之掺Al的ZnO薄膜的表面形貌,计算了薄膜的表面高度-高度相关函数H(r)-r,并用分形表面高度-高度相关函数的唯象表达式,对薄膜表面高度-高度相关函数进行拟合.结果表明:掺Al的ZnO薄膜表面具有典型的分形特征,Al掺杂量的增加和退火温度升高,使掺Al的ZnO薄膜的表面粗糙度w从1.39增大到5.47,分形维数D,由2.12减小到2.08,水平相关长度ξ从31.25增到76.17.
用原子力顯微鏡,觀察瞭sol-gel法製備之摻Al的ZnO薄膜的錶麵形貌,計算瞭薄膜的錶麵高度-高度相關函數H(r)-r,併用分形錶麵高度-高度相關函數的唯象錶達式,對薄膜錶麵高度-高度相關函數進行擬閤.結果錶明:摻Al的ZnO薄膜錶麵具有典型的分形特徵,Al摻雜量的增加和退火溫度升高,使摻Al的ZnO薄膜的錶麵粗糙度w從1.39增大到5.47,分形維數D,由2.12減小到2.08,水平相關長度ξ從31.25增到76.17.
용원자력현미경,관찰료sol-gel법제비지참Al적ZnO박막적표면형모,계산료박막적표면고도-고도상관함수H(r)-r,병용분형표면고도-고도상관함수적유상표체식,대박막표면고도-고도상관함수진행의합.결과표명:참Al적ZnO박막표면구유전형적분형특정,Al참잡량적증가화퇴화온도승고,사참Al적ZnO박막적표면조조도w종1.39증대도5.47,분형유수D,유2.12감소도2.08,수평상관장도ξ종31.25증도76.17.
