稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2012年
10期
1785-1789
,共5页
电迁移%Ni-P%Ni%界面反应%金属间化合物
電遷移%Ni-P%Ni%界麵反應%金屬間化閤物
전천이%Ni-P%Ni%계면반응%금속간화합물
研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响.结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用.当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100 h后Ni-P层消耗了5.88 μm,电迁移200 h后Ni-P层消耗了13.46μm.在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间.当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的Ni3Sn4化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200 h后Ni3Sn4层的厚度达到1.81 μm.
研究瞭溫度為150℃,電流密度為5.0×103A/cm2的條件下電遷移對Ni/Sn/Ni-P(Au)線性接頭中界麵反應的影響.結果錶明電流方嚮對Ni-P層的消耗起著決定作用.噹Ni-P層為陰極時,電遷移加速瞭Ni-P層的消耗,即隨著電遷移時間的延長,Ni-P層的消耗顯著增加;電遷移100 h後Ni-P層消耗瞭5.88 μm,電遷移200 h後Ni-P層消耗瞭13.46μm.在Sn/Ni-P的界麵上形成瞭一層Ni2SnP化閤物而沒有觀察到Ni3Sn4化閤物的存在,多孔狀的Ni3P層位于Ni2SnP化閤物與Ni-P層之間.噹Ni-P層為暘極時,在電遷移過程中併沒有髮現Ni-P層的明顯消耗,在Sn/Ni-P的界麵處生成層狀的Ni3Sn4化閤物,其厚度隨著電遷移時間的延長而緩慢增加,電遷移200 h後Ni3Sn4層的厚度達到1.81 μm.
연구료온도위150℃,전류밀도위5.0×103A/cm2적조건하전천이대Ni/Sn/Ni-P(Au)선성접두중계면반응적영향.결과표명전류방향대Ni-P층적소모기착결정작용.당Ni-P층위음겁시,전천이가속료Ni-P층적소모,즉수착전천이시간적연장,Ni-P층적소모현저증가;전천이100 h후Ni-P층소모료5.88 μm,전천이200 h후Ni-P층소모료13.46μm.재Sn/Ni-P적계면상형성료일층Ni2SnP화합물이몰유관찰도Ni3Sn4화합물적존재,다공상적Ni3P층위우Ni2SnP화합물여Ni-P층지간.당Ni-P층위양겁시,재전천이과정중병몰유발현Ni-P층적명현소모,재Sn/Ni-P적계면처생성층상적Ni3Sn4화합물,기후도수착전천이시간적연장이완만증가,전천이200 h후Ni3Sn4층적후도체도1.81 μm.
