非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟
비정규/정체규이질결태양전지계산궤모의
COMPUTER SIMULATION OF a-Si:H/c-Si HETEROJUNCTION SOLAR CELLS
  • 万方数据
    太阳能学报 태양능학보
    ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
    2003年 z1期 9-13 ,共5页

    胡志华%廖显伯%刁宏伟%曾湘波%徐艳月%张世斌%孔光临

    호지화%료현백%조굉위%증상파%서염월%장세빈%공광림

    太阳电池%a-Si:H/c-Si异质结%计算机模拟 太暘電池%a-Si:H/c-Si異質結%計算機模擬
    태양전지%a-Si:H/c-Si이질결%계산궤모의
    运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).
    운용AMPS정서모의계산료p-형비정규/n-형정체규HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)이질결태양전지적광복특성.통과대불동대변보상정황하적계산결과동문헌보도상비교,득출도대보상소부분(0.18eV),개대보상대부분(0.5eV)적기본결론.동시환증실,계면태시결정전지성능적관건인소,현저영향전지적개로전압(Voc)화전충인자(FF).최후계산료저충전지이상정황하(무계면태、유배면장、정배면반사솔분별위0화1)적이론효솔Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm파단).
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문