AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究
AlxGa1-xN/GaN조제참잡이질결구적자대성질연구
Study on the subband properties of Alx Ga1-x N/GaN modulation-doped heterostructures
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 2期 596-600 ,共5页

    郑泽伟%沈波%桂永胜%仇志军%唐宁%蒋春萍%张荣%施毅%郑有炓%郭少令%褚君浩

    정택위%침파%계영성%구지군%당저%장춘평%장영%시의%정유료%곽소령%저군호

    AlGaN/GaN异质结%二维电子气%子带占据%输运迁移率 AlGaN/GaN異質結%二維電子氣%子帶佔據%輸運遷移率
    AlGaN/GaN이질결%이유전자기%자대점거%수운천이솔
    通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理.
    통과저온화강자장하적자수운측량연구료Al0.22Ga0.78N/GaN조제참잡이질결구중2DEG적자대점거성질화자대수운성질.재해이질결구적자조진탕중관찰도료쌍자대점거현상,병발현2DEG적총농도수제이자대농도적변화정선성관계.득도료해이질결구중제이자대피2DEG점거적역치전자농도위7.3×1012cm-2.채용천이솔보기술득도료불동양품적분별대응우제일화제이자대적수운천이솔.발현당양품산생응변이예시제일자대적전자천이솔취연하강,이차제이자대적전자천이솔원대우제일자대적전자천이솔.용전자파함수분포화응변이예시적실배위착산사해석료상술현상.동시진일보설명료계면조조산사화합금무서산사시결정AlxGa1-xN/GaN이질결구중2DEG천이솔적주요산사궤리.
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