半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
z1期
94-95,100
,共3页
刘爽%宁永功%赵凯生%刘永智%李华高%熊平
劉爽%寧永功%趙凱生%劉永智%李華高%熊平
류상%저영공%조개생%류영지%리화고%웅평
室温红外探测%VOx薄膜%电阻温度系数
室溫紅外探測%VOx薄膜%電阻溫度繫數
실온홍외탐측%VOx박막%전조온도계수
用反应溅射法制备了VOx薄膜.利用XPS分析技术,研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系.结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜,氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V,衬底表面吸附氧会改变薄膜组分,V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高,V2O3不利于红外探测.
用反應濺射法製備瞭VOx薄膜.利用XPS分析技術,研究瞭薄膜組分與氧分壓、基片材料、沉積厚度等工藝條件的關繫.結果錶明本工藝得到V2O5、VO2、V2O3複相膜,氧氣流量大和較厚薄膜容易穫得高價態V,襯底錶麵吸附氧會改變薄膜組分,V2O5、VO2含量高的薄膜電阻溫度繫數相對較高,V2O3不利于紅外探測.
용반응천사법제비료VOx박막.이용XPS분석기술,연구료박막조분여양분압、기편재료、침적후도등공예조건적관계.결과표명본공예득도V2O5、VO2、V2O3복상막,양기류량대화교후박막용역획득고개태V,츤저표면흡부양회개변박막조분,V2O5、VO2함량고적박막전조온도계수상대교고,V2O3불리우홍외탐측.
