红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2007年
z1期
35-37
,共3页
郝瑞亭%徐应强%周志强%任正伟%牛智川
郝瑞亭%徐應彊%週誌彊%任正偉%牛智川
학서정%서응강%주지강%임정위%우지천
GaSb%InAs/GaSb超晶格%GaAs%分子束外延
GaSb%InAs/GaSb超晶格%GaAs%分子束外延
GaSb%InAs/GaSb초정격%GaAs%분자속외연
采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步.
採用分子束外延方法在GaAs(100)襯底上生長GaSb體材料,以此GaSb為緩遲層生長瞭不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光熒光譜峰值波長在2～2.6 μm.高分辨透射電子顯微鏡觀察證實超晶格界麵清晰,週期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生長是製備這類紅外探測器件重要的第一步.
채용분자속외연방법재GaAs(100)츤저상생장GaSb체재료,이차GaSb위완충층생장료불동InAs후도적InAs/GaSb초정격,기10 K광형광보봉치파장재2～2.6 μm.고분변투사전자현미경관찰증실초정격계면청석,주기완정.InAs/GaSb초정격재료적성공생장시제비저류홍외탐측기건중요적제일보.
