半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
3期
180-181,228
,共3页
李传南%黄劲松%肖步文%侯晶莹%杨开霞%刘式墉
李傳南%黃勁鬆%肖步文%侯晶瑩%楊開霞%劉式墉
리전남%황경송%초보문%후정형%양개하%류식용
电致发光器件%柔性衬底%有机小分子%黄光
電緻髮光器件%柔性襯底%有機小分子%黃光
전치발광기건%유성츤저%유궤소분자%황광
采用溅射技术在透明的塑性材料聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜之上形成一层ITO导电膜,并以此替代常用的玻璃衬底制备了黄光柔性衬底有机小分子电致发光器件,器件的结构为PET/ITO/Alq3:Rub/Alq3/Al.器件在14 V时亮度为120 cd/m2,并且器件在弯曲较大角度时仍然能正常使用,达到了使用柔性衬底的目的.
採用濺射技術在透明的塑性材料聚對苯二甲痠乙二酯(PET)薄膜之上形成一層ITO導電膜,併以此替代常用的玻璃襯底製備瞭黃光柔性襯底有機小分子電緻髮光器件,器件的結構為PET/ITO/Alq3:Rub/Alq3/Al.器件在14 V時亮度為120 cd/m2,併且器件在彎麯較大角度時仍然能正常使用,達到瞭使用柔性襯底的目的.
채용천사기술재투명적소성재료취대분이갑산을이지(PET)박막지상형성일층ITO도전막,병이차체대상용적파리츤저제비료황광유성츤저유궤소분자전치발광기건,기건적결구위PET/ITO/Alq3:Rub/Alq3/Al.기건재14 V시량도위120 cd/m2,병차기건재만곡교대각도시잉연능정상사용,체도료사용유성츤저적목적.
