电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
6期
20-22,25
,共4页
李远亮%段文创%曲远方%张庆军%王冉然
李遠亮%段文創%麯遠方%張慶軍%王冉然
리원량%단문창%곡원방%장경군%왕염연
Ba(Ti,Sn)O3陶瓷%介电性能%掺杂%微观形貌
Ba(Ti,Sn)O3陶瓷%介電性能%摻雜%微觀形貌
Ba(Ti,Sn)O3도자%개전성능%참잡%미관형모
以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能.结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位.Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x(Sm2O3)=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x(Sm2O3)=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳:介质损耗降至最低值0.0050.
以碳痠鋇、二氧化錫和二氧化鈦等為原料,製備瞭摻雜Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究瞭所製陶瓷的介電性能.結果錶明:噹摩爾分數x(Sm2O3)<0.60%時,Sm3+主要進入BTS陶瓷晶格A位,隨著x(Sm2O3)的增加,Sm3+傾嚮于進入晶格B位.Sm2O3的摻雜量對BTS陶瓷的相對介電常數和介質損耗影響顯著,x(Sm2O3)=0.60%時,BTS陶瓷的相對介電常數達到最大值5 560;噹x(Sm2O3)=0.10%時,BTS陶瓷的綜閤性能最佳:介質損耗降至最低值0.0050.
이탄산패、이양화석화이양화태등위원료,제비료참잡Sm2O3적Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)도자,연구료소제도자적개전성능.결과표명:당마이분수x(Sm2O3)<0.60%시,Sm3+주요진입BTS도자정격A위,수착x(Sm2O3)적증가,Sm3+경향우진입정격B위.Sm2O3적참잡량대BTS도자적상대개전상수화개질손모영향현저,x(Sm2O3)=0.60%시,BTS도자적상대개전상수체도최대치5 560;당x(Sm2O3)=0.10%시,BTS도자적종합성능최가:개질손모강지최저치0.0050.
