原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
z1期
582-586
,共5页
姜昱光%封国强%朱翔%上官士鹏%马英起%韩建伟
薑昱光%封國彊%硃翔%上官士鵬%馬英起%韓建偉
강욱광%봉국강%주상%상관사붕%마영기%한건위
脉冲激光%单粒子效应%FPGA%多位翻转%翻转截面
脈遲激光%單粒子效應%FPGA%多位翻轉%翻轉截麵
맥충격광%단입자효응%FPGA%다위번전%번전절면
通过测试基于静态随机存储器(SRAM)的现场可编程门阵列(FPGA)芯片的单粒子效应,研究脉冲激光的试验方法,评估脉冲激光试验单粒子效应的有效性.研究表明,激光光斑聚焦深度和激光注量是影响脉冲激光单粒子效应试验的重要因素.试验发现,脉冲激光在较高能量时,单个激光脉冲会触发多个配置存储位发生单粒子翻转,造成芯片饱和翻转截面偏大.激光辐照芯片时,观察到芯片的内核工作电流以1～2 mA的幅度逐渐增加,在此期间器件工作正常.试验获得了Virtex-2 FPGA芯片的静态单粒子翻转截面和翻转阈值.通过对比激光与重离子的试验结果发现,二者在测试器件单粒子翻转方面基本一致,脉冲激光可有效研究芯片的单粒子效应特性.
通過測試基于靜態隨機存儲器(SRAM)的現場可編程門陣列(FPGA)芯片的單粒子效應,研究脈遲激光的試驗方法,評估脈遲激光試驗單粒子效應的有效性.研究錶明,激光光斑聚焦深度和激光註量是影響脈遲激光單粒子效應試驗的重要因素.試驗髮現,脈遲激光在較高能量時,單箇激光脈遲會觸髮多箇配置存儲位髮生單粒子翻轉,造成芯片飽和翻轉截麵偏大.激光輻照芯片時,觀察到芯片的內覈工作電流以1～2 mA的幅度逐漸增加,在此期間器件工作正常.試驗穫得瞭Virtex-2 FPGA芯片的靜態單粒子翻轉截麵和翻轉閾值.通過對比激光與重離子的試驗結果髮現,二者在測試器件單粒子翻轉方麵基本一緻,脈遲激光可有效研究芯片的單粒子效應特性.
통과측시기우정태수궤존저기(SRAM)적현장가편정문진렬(FPGA)심편적단입자효응,연구맥충격광적시험방법,평고맥충격광시험단입자효응적유효성.연구표명,격광광반취초심도화격광주량시영향맥충격광단입자효응시험적중요인소.시험발현,맥충격광재교고능량시,단개격광맥충회촉발다개배치존저위발생단입자번전,조성심편포화번전절면편대.격광복조심편시,관찰도심편적내핵공작전류이1～2 mA적폭도축점증가,재차기간기건공작정상.시험획득료Virtex-2 FPGA심편적정태단입자번전절면화번전역치.통과대비격광여중리자적시험결과발현,이자재측시기건단입자번전방면기본일치,맥충격광가유효연구심편적단입자효응특성.
