沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶
연[1-100]방향승화법생장6H-SiC단정
Sublimation Growth of 6H-SiC Single Crystal along [1-100] Direction
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 1期 14-17 ,共4页

    姜守振%李娟%陈秀芳%王英民%宁丽娜%胡小波%徐现刚%王继杨%蒋民华

    강수진%리연%진수방%왕영민%저려나%호소파%서현강%왕계양%장민화

    升华法%SiC%微管%多型 升華法%SiC%微管%多型
    승화법%SiC%미관%다형
    本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.
    본문채용승화법연착수직우c축방향적[1-100]방향생장6H-SiC단정.이용광학현미경대정체표면급부식후적정편진행관찰,발현연[1-100]방향생장출적단정여전통방법연[0001]방향생장단정유흔다적불동지처,다형대우자정적계승성비상강,단시재생장과정중다형협잡불회발생,해방법생장적정체중몰유발현라위착(미관)결함.
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