材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2009年
z2期
73-74,86
,共3页
于乃森%苗雨%王勇%邓冬梅%刘东平
于迺森%苗雨%王勇%鄧鼕梅%劉東平
우내삼%묘우%왕용%산동매%류동평
金属有机化学气相沉积%氮化铝%非晶层
金屬有機化學氣相沉積%氮化鋁%非晶層
금속유궤화학기상침적%담화려%비정층
MOCVD%AlN%amorphous layer
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层.高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4.研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长.
採用金屬有機化學氣相沉積法在Si(111)襯底上生長瞭AlN外延層.高分辨透射電子顯微鏡顯示在AlN/Si界麵處存在非晶層,俄歇電子能譜測試錶明Si有很彊的擴散,拉曼光譜測試錶明存在Si-N鍵,另外光電子能譜分析錶明非晶層中存在Si3N4.研究認為MOCVD高溫生長造成Si的大量擴散是非晶層存在的主要原因,同時非晶Si3N4層也將促使AlN層呈島狀生長.
채용금속유궤화학기상침적법재Si(111)츤저상생장료AlN외연층.고분변투사전자현미경현시재AlN/Si계면처존재비정층,아헐전자능보측시표명Si유흔강적확산,랍만광보측시표명존재Si-N건,령외광전자능보분석표명비정층중존재Si3N4.연구인위MOCVD고온생장조성Si적대량확산시비정층존재적주요원인,동시비정Si3N4층야장촉사AlN층정도상생장.
AlN epilayer is grown on Si (111) by metal organic chemical vapour deposition(MOCVD). High resolution transmission electron microscopy shows the amorphous layer in the interface of AlN/Si. Meanwhile, Si atom diffusion is detected by auger electron spectrum. Raman spectrum and X-ray photoelectron spectroscopy show the existence of Si-N bond and Si3N4 in the amorphous layer,which will promote island growth for AlN layer. It can be assumed that the higher temperature causing Si atom diffusion to replace Al atom is the main reason for the amorphous layer formation.