皖西学院学报
皖西學院學報
환서학원학보
JOURNAL OF WANXI UNIVERSITY
2010年
5期
60-62
,共3页
魏相飞%杨富强%金诚%宋丽影%袁好
魏相飛%楊富彊%金誠%宋麗影%袁好
위상비%양부강%금성%송려영%원호
二类、断带半导体量子阱%空穴%光电器件
二類、斷帶半導體量子阱%空穴%光電器件
이류、단대반도체양자정%공혈%광전기건
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注.主要研究了基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中电子和空穴的波函数和能级.通过直接求解有效质量近似下的Schrǒdinger方程得到电子(空穴)沿生长方向的能级和波函数,研究发现:电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合,所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用.
基于InAs/GaSb的二類、斷帶半導體異質結構由于其特殊的能帶結構和獨特的光電性質而備受關註.主要研究瞭基于InAs/GaSb的二類、斷帶半導體量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中電子和空穴的波函數和能級.通過直接求解有效質量近似下的Schrǒdinger方程得到電子(空穴)沿生長方嚮的能級和波函數,研究髮現:電子和空穴的波函數在材料層的交界麵上有一定程度的耦閤,所以該繫統可以在新型光電器件方麵有重要的應用.
기우InAs/GaSb적이류、단대반도체이질결구유우기특수적능대결구화독특적광전성질이비수관주.주요연구료기우InAs/GaSb적이류、단대반도체양자정(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)중전자화공혈적파함수화능급.통과직접구해유효질량근사하적Schrǒdinger방정득도전자(공혈)연생장방향적능급화파함수,연구발현:전자화공혈적파함수재재료층적교계면상유일정정도적우합,소이해계통가이재신형광전기건방면유중요적응용.
