半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
4期
308-312
,共5页
菅冀祁%王玉英%熊剑平%贾惠波%佘鹏
菅冀祁%王玉英%熊劍平%賈惠波%佘鵬
관기기%왕옥영%웅검평%가혜파%사붕
光存储%信道%光学分辨本领%存储机理
光存儲%信道%光學分辨本領%存儲機理
광존저%신도%광학분변본령%존저궤리
随着光存储技术的发展,如何提高光盘存储密度备受关注.应用信道分析的方法,讨论了影响存储密度的因素和参量,提出光学系统分辨本领及光存储机理是其中最重要的因素.分别从缩短波长、增大数值孔径、超分辨以及缩小记录点、复用记录点及增加存储维度等角度总结了提高系统分辨能力、改变存储机理以提高光盘存储密度的途径.
隨著光存儲技術的髮展,如何提高光盤存儲密度備受關註.應用信道分析的方法,討論瞭影響存儲密度的因素和參量,提齣光學繫統分辨本領及光存儲機理是其中最重要的因素.分彆從縮短波長、增大數值孔徑、超分辨以及縮小記錄點、複用記錄點及增加存儲維度等角度總結瞭提高繫統分辨能力、改變存儲機理以提高光盤存儲密度的途徑.
수착광존저기술적발전,여하제고광반존저밀도비수관주.응용신도분석적방법,토론료영향존저밀도적인소화삼량,제출광학계통분변본령급광존저궤리시기중최중요적인소.분별종축단파장、증대수치공경、초분변이급축소기록점、복용기록점급증가존저유도등각도총결료제고계통분변능력、개변존저궤리이제고광반존저밀도적도경.
