稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
4期
565-568
,共4页
裴素华%修显武%孙海波%黄萍%于连英
裴素華%脩顯武%孫海波%黃萍%于連英
배소화%수현무%손해파%황평%우련영
Ga%近硅表面%浓度分布
Ga%近硅錶麵%濃度分佈
Ga%근규표면%농도분포
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究.结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性.上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态.对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品.
為進一步揭示Ga在SiO2/Si繫統下的完整擴散特性和分佈行為,利用擴展電阻(SRP)分析方法,對恆定源、限定源,二次氧化(指燐擴散的再分佈過程)不同溫度和氣氛,Ga在近硅錶麵微區域濃度連續性變化狀態進行瞭繫統研究.結果錶明,恆定源摻雜過程有Ga的低濃度區形成;限定源再分佈過程Ga齣現反擴散特性;二次氧化過程Ga產生異常分凝特性.上述分佈行為的綜閤效果,導緻近硅錶麵Ga的濃度處于耗儘狀態.對Ga的錶麵耗儘,可通過適噹的工藝方法給予補償,因此Ga基區晶體管的電學性能仍然優于同類產品.
위진일보게시Ga재SiO2/Si계통하적완정확산특성화분포행위,이용확전전조(SRP)분석방법,대항정원、한정원,이차양화(지린확산적재분포과정)불동온도화기분,Ga재근규표면미구역농도련속성변화상태진행료계통연구.결과표명,항정원참잡과정유Ga적저농도구형성;한정원재분포과정Ga출현반확산특성;이차양화과정Ga산생이상분응특성.상술분포행위적종합효과,도치근규표면Ga적농도처우모진상태.대Ga적표면모진,가통과괄당적공예방법급여보상,인차Ga기구정체관적전학성능잉연우우동류산품.
