电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
5期
31-35,38
,共6页
张富春%张志勇%阎军锋%张威虎
張富春%張誌勇%閻軍鋒%張威虎
장부춘%장지용%염군봉%장위호
半导体技术%氧化锌%共掺杂技术%第一性原理%p型%电子结构
半導體技術%氧化鋅%共摻雜技術%第一性原理%p型%電子結構
반도체기술%양화자%공참잡기술%제일성원리%p형%전자결구
计算了ZnO材料p型掺杂精细结构,分析了p型掺杂ZnO晶体的电子结构、电荷布局、电子态密度、差分电荷.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:掺杂Ⅴ族元素(N、P、As、In)的氧化锌材料在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而利用加入激活施主的共掺杂技术的计算结果却表明,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽,非局域化特征明显.
計算瞭ZnO材料p型摻雜精細結構,分析瞭p型摻雜ZnO晶體的電子結構、電荷佈跼、電子態密度、差分電荷.所有計算都是基于密度汎函理論(DFT)框架下的第一原理平麵波超軟贗勢方法.計算結果錶明:摻雜Ⅴ族元素(N、P、As、In)的氧化鋅材料在能隙中引入瞭深受主能級,載流子(空穴)跼域于價帶頂附近.而利用加入激活施主的共摻雜技術的計算結果卻錶明,受主能級嚮低能方嚮移動,形成瞭淺受主能級.同時,受主能級帶變寬,非跼域化特徵明顯.
계산료ZnO재료p형참잡정세결구,분석료p형참잡ZnO정체적전자결구、전하포국、전자태밀도、차분전하.소유계산도시기우밀도범함이론(DFT)광가하적제일원리평면파초연안세방법.계산결과표명:참잡Ⅴ족원소(N、P、As、In)적양화자재료재능극중인입료심수주능급,재류자(공혈)국역우개대정부근.이이용가입격활시주적공참잡기술적계산결과각표명,수주능급향저능방향이동,형성료천수주능급.동시,수주능급대변관,비국역화특정명현.
