光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2010年
7期
1995-1997
,共3页
贾仁需%张玉明%张义门%郭辉
賈仁需%張玉明%張義門%郭輝
가인수%장옥명%장의문%곽휘
4H-SiC%同质外延生长%X射线衍射%位错密度
4H-SiC%同質外延生長%X射線衍射%位錯密度
4H-SiC%동질외연생장%X사선연사%위착밀도
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究.材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难.首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系.然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试,采用不同晶面衍射峰,计算出样品的位错密度.分析了外延中位错产生的原因,并提出了相应的解决办法.
對用X射線衍射法計算4H-SiC外延中的位錯密度方法進行瞭理論和實驗研究.材料中的位錯密度大于106cm-2會給材料位錯密度的測試會帶來一定的睏難.首先從理論上分析瞭位錯密度對X射線衍射結果的影響,得齣位錯密度和峰寬FWHM展寬的關繫.然後對4H-SiC樣品進行瞭X射線三軸晶ω-2θ測試,採用不同晶麵衍射峰,計算齣樣品的位錯密度.分析瞭外延中位錯產生的原因,併提齣瞭相應的解決辦法.
대용X사선연사법계산4H-SiC외연중적위착밀도방법진행료이론화실험연구.재료중적위착밀도대우106cm-2회급재료위착밀도적측시회대래일정적곤난.수선종이론상분석료위착밀도대X사선연사결과적영향,득출위착밀도화봉관FWHM전관적관계.연후대4H-SiC양품진행료X사선삼축정ω-2θ측시,채용불동정면연사봉,계산출양품적위착밀도.분석료외연중위착산생적원인,병제출료상응적해결판법.
