应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2011年
5期
1016-1021
,共6页
肖光辉%覃海%蓝劾%叶健%杨明生%潘龙法
肖光輝%覃海%藍劾%葉健%楊明生%潘龍法
초광휘%담해%람핵%협건%양명생%반룡법
激光刻线系统%非晶硅薄膜太阳能电池%刻线
激光刻線繫統%非晶硅薄膜太暘能電池%刻線
격광각선계통%비정규박막태양능전지%각선
非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30 μm～50 μm之间,死区范围小于300 μm,刻线深度符合工艺要求.这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深.设计了单激光器四分光路的激光刻线系统.采用设计的激光刻线装置,在1 400 mm×1 100 mm×3.2 mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μtm和45 μm,死区范围(P1至P3的距离)为287 μm,最终深度分别为0.98 μm,0.24 μm和0.58 μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求.
非晶硅薄膜太暘能電池製備過程中的激光刻線工藝要求刻線寬度在30 μm～50 μm之間,死區範圍小于300 μm,刻線深度符閤工藝要求.這不僅要求激光器具有較高的光束質量,而且要求光學繫統具有較高的成像質量和較寬的焦深.設計瞭單激光器四分光路的激光刻線繫統.採用設計的激光刻線裝置,在1 400 mm×1 100 mm×3.2 mm玻璃基闆上進行刻線試驗,分彆得到刻線P1,P2,P3的線寬為35μm,50μtm和45 μm,死區範圍(P1至P3的距離)為287 μm,最終深度分彆為0.98 μm,0.24 μm和0.58 μm,刻線寬度和深度均符閤薄膜太暘能電池製備工藝要求.
비정규박막태양능전지제비과정중적격광각선공예요구각선관도재30 μm～50 μm지간,사구범위소우300 μm,각선심도부합공예요구.저불부요구격광기구유교고적광속질량,이차요구광학계통구유교고적성상질량화교관적초심.설계료단격광기사분광로적격광각선계통.채용설계적격광각선장치,재1 400 mm×1 100 mm×3.2 mm파리기판상진행각선시험,분별득도각선P1,P2,P3적선관위35μm,50μtm화45 μm,사구범위(P1지P3적거리)위287 μm,최종심도분별위0.98 μm,0.24 μm화0.58 μm,각선관도화심도균부합박막태양능전지제비공예요구.
