半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
276-279,304
,共5页
贾素梅%杨瑞霞%刘英坤%邓建国%高渊
賈素梅%楊瑞霞%劉英坤%鄧建國%高淵
가소매%양서하%류영곤%산건국%고연
SiGe/Si异质结双极晶体管%能带工程%掺杂工程%台面结构%关键工艺
SiGe/Si異質結雙極晶體管%能帶工程%摻雜工程%檯麵結構%關鍵工藝
SiGe/Si이질결쌍겁정체관%능대공정%참잡공정%태면결구%관건공예
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程.通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了Ⅰ-Ⅴ特性及频率特性测试.结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz.
介紹瞭多晶硅髮射極雙檯麵SiGe/Si異質結雙極晶體管製作工藝流程.通過對LPCVD在n型Si襯底上外延生長SiGe閤金層作為異質結雙極晶體管基區、自中止腐蝕工藝製作髮射區檯麵、多晶硅n型雜質摻雜工藝製作髮射極、PtSi金屬硅化物製作器件歐姆接觸等工藝技術進行研究,探索齣關鍵工藝的控製方法,併對採用以上工藝技術製作的多晶硅髮射極雙檯麵SiGe/Si異質結雙極晶體管進行瞭Ⅰ-Ⅴ特性及頻率特性測試.結果顯示該器件飽和壓降小,歐姆接觸良好,直流電流放大倍數β隨Ic變化不大,截止頻率最高達到11.2 GHz.
개소료다정규발사겁쌍태면SiGe/Si이질결쌍겁정체관제작공예류정.통과대LPCVD재n형Si츤저상외연생장SiGe합금층작위이질결쌍겁정체관기구、자중지부식공예제작발사구태면、다정규n형잡질참잡공예제작발사겁、PtSi금속규화물제작기건구모접촉등공예기술진행연구,탐색출관건공예적공제방법,병대채용이상공예기술제작적다정규발사겁쌍태면SiGe/Si이질결쌍겁정체관진행료Ⅰ-Ⅴ특성급빈솔특성측시.결과현시해기건포화압강소,구모접촉량호,직류전류방대배수β수Ic변화불대,절지빈솔최고체도11.2 GHz.
