科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2012年
7期
78-79
,共2页
InAs/AlSb HEMTs%异质结%单粒子效应%Ⅰ-Ⅴ特性
InAs/AlSb HEMTs%異質結%單粒子效應%Ⅰ-Ⅴ特性
InAs/AlSb HEMTs%이질결%단입자효응%Ⅰ-Ⅴ특성
本文单粒子效应的研究目的,旨在研究异质结器件InAs/AlSb HEMTs在重离子辐照下失效的概率.文中研究了InAs/A1Sb HEMTs的Ⅰ-Ⅴ特性对沿45度方向入射、线性能量传输因子0.2,作用时间0.1ps,重离子轨迹0.1um的重离子辐照的响应规律.结果表明:随着栅极偏压由负到正的改变,InAs/AlSb HEMTs器件由不能工作到能够正常工作,所以在重离子辐射条件下栅极偏压影响着InAs/AlSb HEMTs器件能否正常工作.
本文單粒子效應的研究目的,旨在研究異質結器件InAs/AlSb HEMTs在重離子輻照下失效的概率.文中研究瞭InAs/A1Sb HEMTs的Ⅰ-Ⅴ特性對沿45度方嚮入射、線性能量傳輸因子0.2,作用時間0.1ps,重離子軌跡0.1um的重離子輻照的響應規律.結果錶明:隨著柵極偏壓由負到正的改變,InAs/AlSb HEMTs器件由不能工作到能夠正常工作,所以在重離子輻射條件下柵極偏壓影響著InAs/AlSb HEMTs器件能否正常工作.
본문단입자효응적연구목적,지재연구이질결기건InAs/AlSb HEMTs재중리자복조하실효적개솔.문중연구료InAs/A1Sb HEMTs적Ⅰ-Ⅴ특성대연45도방향입사、선성능량전수인자0.2,작용시간0.1ps,중리자궤적0.1um적중리자복조적향응규률.결과표명:수착책겁편압유부도정적개변,InAs/AlSb HEMTs기건유불능공작도능구정상공작,소이재중리자복사조건하책겁편압영향착InAs/AlSb HEMTs기건능부정상공작.
