硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2011年
5期
1083-1088
,共6页
石彪%朱明星%陈义%刘学超%杨建华%施尔畏
石彪%硃明星%陳義%劉學超%楊建華%施爾畏
석표%주명성%진의%류학초%양건화%시이외
3C-SiC%化学气相沉积%异质外延%缺陷
3C-SiC%化學氣相沉積%異質外延%缺陷
3C-SiC%화학기상침적%이질외연%결함
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.
3C-SiC薄膜的外延生長一直是SiC材料製備領域的一箇熱點,單晶Si襯底異質外延3C-SiC是實現大呎吋、低成本薄膜的有效方法,備受人們關註.單晶Si與3C-SiC之間存在較大的晶格失配(20％)和熱膨脹繫數差異(8％),嚴重製約著高質量單晶薄膜的製備.本文對單晶Si襯底異質外延3C-SiC薄膜的基本原理和工藝過程進行瞭總結,著重介紹瞭薄膜生長中的缺陷和可控摻雜方麵的研究進展以及麵臨的挑戰,併對今後的研究熱點做瞭歸納展望.
3C-SiC박막적외연생장일직시SiC재료제비영역적일개열점,단정Si츤저이질외연3C-SiC시실현대척촌、저성본박막적유효방법,비수인문관주.단정Si여3C-SiC지간존재교대적정격실배(20％)화열팽창계수차이(8％),엄중제약착고질량단정박막적제비.본문대단정Si츤저이질외연3C-SiC박막적기본원리화공예과정진행료총결,착중개소료박막생장중적결함화가공참잡방면적연구진전이급면림적도전,병대금후적연구열점주료귀납전망.
