硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2011年
2期
407-410,419
,共5页
马秋花%李彦涛%王改民%侯永改
馬鞦花%李彥濤%王改民%侯永改
마추화%리언도%왕개민%후영개
电子结构%Na0.6CoO2热电陶瓷%热电性能
電子結構%Na0.6CoO2熱電陶瓷%熱電性能
전자결구%Na0.6CoO2열전도자%열전성능
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对热电陶瓷Na<,0.6>CoO<,2>进行了研究.结果表明Na<,0.6> CoO<,2>为间接带隙的P型半导体,带隙宽度为1.233 eV.从态密度及电荷差分密度可知Co<,3>d电子和O2p电子对价带顶及导带底的贞献较大,CO3d与O2p轨道的杂化利于载流子的迁移,此外,CO3d电子晶场的分裂,使体系呈现自旋极化,计算得到的净磁矩为4μ<,B>,而自旋磁矩的存在是获得高Seebeck系数的原因.
本文採用第一性原理的密度汎函理論平麵波贗勢法,通過廣義梯度近似電子結構計算對熱電陶瓷Na<,0.6>CoO<,2>進行瞭研究.結果錶明Na<,0.6> CoO<,2>為間接帶隙的P型半導體,帶隙寬度為1.233 eV.從態密度及電荷差分密度可知Co<,3>d電子和O2p電子對價帶頂及導帶底的貞獻較大,CO3d與O2p軌道的雜化利于載流子的遷移,此外,CO3d電子晶場的分裂,使體繫呈現自鏇極化,計算得到的淨磁矩為4μ<,B>,而自鏇磁矩的存在是穫得高Seebeck繫數的原因.
본문채용제일성원리적밀도범함이론평면파안세법,통과엄의제도근사전자결구계산대열전도자Na<,0.6>CoO<,2>진행료연구.결과표명Na<,0.6> CoO<,2>위간접대극적P형반도체,대극관도위1.233 eV.종태밀도급전하차분밀도가지Co<,3>d전자화O2p전자대개대정급도대저적정헌교대,CO3d여O2p궤도적잡화리우재류자적천이,차외,CO3d전자정장적분렬,사체계정현자선겁화,계산득도적정자구위4μ<,B>,이자선자구적존재시획득고Seebeck계수적원인.
